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HfO2/Al2O3双层结构器件的阻变性能及其60Coγ射线总剂量效应研究
 
     论文目录
 
摘要第4-6页
abstract第6-7页
第1章 绪论第11-23页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 存储器概述第12-19页
        1.2.1 挥发性存储器第12页
        1.2.2 传统非挥发性存储器第12-14页
        1.2.3 新型非挥发性存储器第14-18页
        1.2.4 半导体存储器性能比较第18-19页
    1.3 阻变存储器研究现状第19-20页
        1.3.1 阻变存储器的发展历程第19-20页
        1.3.2 国内阻变存储器的研究现状第20页
    1.4 论文选题依据及主要内容第20-23页
        1.4.1 论文选题依据第20-21页
        1.4.2 主要内容第21-23页
第2章 阻变存储器器件制备及其表征方法第23-36页
    2.1 阻变材料第23-27页
        2.1.1 二元金属氧化物第24-25页
        2.1.2 三元及多元氧化物第25页
        2.1.3 硫族固态电解质第25-26页
        2.1.4 其他无机材料第26页
        2.1.5 有机材料第26-27页
    2.2 阻变存储器阻变机制第27-29页
        2.2.1 电化学金属化机制第27-28页
        2.2.2 价态转变机制第28页
        2.2.3 热化学机制第28-29页
        2.2.4 纯电子效应第29页
    2.3 功能性薄膜器件制备方法第29-33页
        2.3.1 脉冲激光沉积法(PLD)第30-31页
        2.3.2 化学气相沉积法(CVD)第31页
        2.3.3 磁控溅射法(magnetron sputtering)第31页
        2.3.4 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法第31-32页
        2.3.5 原子层沉积(ALD)第32-33页
    2.4 阻变存储器的制备第33-34页
        2.4.1 ALD制备材料所用反应源第33-34页
        2.4.2 阻变器件制备工艺第34页
    2.5 微观结构及电学性能表征第34-35页
        2.5.1 X射线光电子能谱第35页
        2.5.2 X射线衍射第35页
        2.5.3 扫描电子显微镜第35页
        2.5.4 扫描电流原子力显微镜第35页
        2.5.5 半导体参数分析仪第35页
    2.6 本章小节第35-36页
第3章 Pt/HfO_2/TiN和Pt/Al_2O_3/Ti N阻变器件制备及性能表征第36-47页
    3.1 引言第36页
    3.2 Pt/HfO_2/TiN和Pt/Al_2O_3/Ti N阻变器件ALD制备及性能表征第36-40页
        3.2.1 阻变存储器件ALD制备第36-37页
        3.2.2 器件微观结构第37-38页
        3.2.3 阻变存储器件的元素分析第38-40页
    3.3 阻变存储器件的电学特性第40-44页
        3.3.1 阻变存储器件的阻变性能第40-41页
        3.3.2 阻变存储器件的操作电压第41-42页
        3.3.3 阻变存储器件的高低电阻分布第42-43页
        3.3.4 阻变存储器件的保持性能第43-44页
        3.3.5 阻变存储器件的抗疲劳性能第44页
    3.4 器件的导电机制第44-45页
    3.5 本章小结第45-47页
第4章 Pt/HfO_2/Al_2O_3/TiN结构器件的阻变性能第47-58页
    4.1 引言第47页
    4.2 器件的制备、微观结构表征第47-50页
        4.2.1 阻变存储器的制备方法第47-48页
        4.2.2 器件中的晶体结构及元素分析第48-50页
    4.3 阻变存储器件中的电学特性第50-55页
        4.3.1 器件的Forming过程第50-51页
        4.3.2 器件的I-V特性曲线第51-52页
        4.3.3 器件的高低阻值分布第52页
        4.3.4 器件的操作电压第52-53页
        4.3.5 器件的保持性能第53-54页
        4.3.6 器件的疲劳特性第54-55页
    4.4 器件的阻变机理分析第55-57页
    4.5 本章小结第57-58页
第5章 Pt/HfO_2/Al_2O_3/TiN阻变器件γ射线总剂量效应第58-70页
    5.1 引言第58-59页
    5.2 辐照实验设计第59-62页
        5.2.1 辐射效应对材料的损伤机制第59-60页
        5.2.2 辐射源选择第60-61页
        5.2.3 辐照实验设计第61-62页
    5.3 辐照前后的电阻转变特性第62页
    5.4 辐照前后的器件参数变化第62-65页
        5.4.1 开关电压变化第62-64页
        5.4.2 高低电阻值变化第64-65页
    5.5 辐照前后器件的保持特性及疲劳测试第65-67页
        5.5.1 保持特性测试第65-66页
        5.5.2 疲劳特性测试第66-67页
    5.6 辐照损伤机理分析第67-68页
    5.7 本章小结第68-70页
第6章 总结与展望第70-72页
    6.1 论文总结第70页
    6.2 论文展望第70-72页
参考文献第72-78页
致谢第78-79页
附录 A 个人简历第79-80页
附录 B 攻读硕士学位期间发表论文与参加的会议目录第80页

 
 
论文编号BS1833411,这篇论文共80
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