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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--基于电路级仿真方法的SRAM型FPGA总剂量效应研究
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基于电路级仿真方法的SRAM型FPGA总剂量效应研究
 
     论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第1章 引言第9-29页
   ·课题研究背景第9-15页
     ·SRAM 型 FPGA 的应用需求第9-10页
     ·空间辐射环境中的总剂量效应第10-13页
     ·SRAM 型 FPGA 的总剂量效应第13-15页
   ·总剂量效应的研究现状第15-26页
     ·效应机理的研究第15-20页
     ·测试技术的研究第20-21页
     ·建模和仿真技术的研究第21-24页
     ·加固方法的研究第24-26页
     ·相关研究存在的不足第26页
   ·论文的研究内容和研究目标第26-29页
第2章 深亚微米 CMOS 电路的电路级总剂量效应仿真方法第29-63页
   ·总剂量效应对单管独立性的影响第29-42页
     ·三维器件模型的校准第29-33页
     ·总剂量效应相关参数的校准第33-34页
     ·总剂量效应在 STI 氧化物中的作用机制研究第34-39页
     ·器件间漏电流的仿真预测第39-42页
   ·单一偏置下 MOS 管的损伤模型构建第42-53页
     ·辐照偏置的概念第42-43页
     ·损伤模型的构建第43-52页
     ·不确定性的分析第52-53页
   ·考虑实际工作状态的电路仿真方法第53-59页
     ·辐照偏置的影响研究第53-55页
     ·不同偏置间的等效关系建模第55-58页
     ·应用 Verilog-A 语言的编程实现第58-59页
   ·模型及方法的校验第59-62页
     ·MOS 单管的校验第59-61页
     ·基准源电路的校验第61-62页
   ·本章小结第62-63页
第3章 结合解析分析的电路仿真流程第63-84页
   ·电路的总剂量效应失效表征第63-64页
   ·模拟电路中的薄弱环节甄别第64-67页
   ·数字电路中的敏感节点甄别第67-76页
     ·标准 CMOS 结构电路的建模分析第68-72页
     ·传输管结构电路的建模分析第72-76页
   ·结合解析分析的仿真规划第76-78页
   ·深亚微米 SRAM 电路的总剂量效应失效分析第78-83页
     ·内部电路模块的失效机理分析第78-80页
     ·敏感节点的甄别第80-82页
     ·试验验证第82-83页
   ·本章小结第83-84页
第4章 SRAM 型 FPGA 的总剂量效应测试技术研究第84-97页
   ·测试方案的设计第84-87页
   ·在线测试系统的设计实现第87-88页
   ·SRAM 型 FPGA 的总剂量效应测试第88-96页
     ·试验情况简介第88-89页
     ·在线测试的失效现象分析第89-92页
     ·离线测试的失效现象分析第92-96页
   ·结果讨论第96页
   ·本章小结第96-97页
第5章 SRAM 型 FPGA 的总剂量效应失效分析第97-109页
   ·敏感电路模块的甄别第97-99页
   ·针对内部电路的仿真计算第99-106页
     ·POR 上电复位电路第99-101页
     ·上电相关电路第101-103页
     ·全局复位相关电路第103-104页
     ·CRC 校验电路第104-105页
     ·配置存储器读写电路第105-106页
     ·CLB 模块电路第106页
   ·结果分析与讨论第106-107页
   ·本章小结第107-109页
第6章 结论与展望第109-112页
   ·工作总结第109-110页
   ·研究展望第110-112页
参考文献第112-119页
致谢第119-121页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第121-122页

 
 
论文编号BS1880461,这篇论文共122
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