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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--Zn在Ⅲ-V族半导体中的扩散机理与低禁带红外电池制备的研究
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Zn在Ⅲ-V族半导体中的扩散机理与低禁带红外电池制备的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第1章 绪论第11-33页
   ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本特性及其应用第11-14页
   ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Zn扩散理论的研究价值与研究现状第14-19页
     ·Zn扩散理论的研究价值第14-16页
     ·Zn扩散理论的研究现状第16-19页
   ·基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的低禁带红外电池特性及应用第19-27页
     ·锑化镓红外电池的研究起因及发展现状第19-23页
     ·锑化镓红外电池在热光伏及其它领域的应用第23-25页
     ·其它Ⅲ-Ⅴ族低禁带红外电池的研究现状第25-27页
   ·本文的研究内容和意义第27-28页
 参考文献第28-33页
第2章 Zn在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中扩散机理的研究第33-93页
   ·引言第33页
   ·Zn在Ⅲ-Ⅴ族化合物中扩散研究的实验方法与分析手段第33-43页
     ·准密封式扩散法第33-37页
     ·密封式扩散法第37-40页
     ·半导体中原子扩散的分析手段第40-43页
   ·扩散率与浓度相关的扩散过程分析方法第43-47页
     ·采用Boltzmann-Matano方法计算杂质扩散率与浓度的关系第43-45页
     ·扩散方程的的建立与扩散参数的拟合第45-47页
   ·Zn在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中奇异扩散现象的发现第47-49页
   ·Zn在锑化镓晶体中扩散机理的研究第49-74页
     ·Kink-and-tail与box曲线生成条件的研究第49-52页
     ·锌扩散率与浓度关系的研究与扩散模型的初步建立第52-55页
     ·光致发光分析确定扩散过程中缺陷产生的类型第55-60页
     ·改变工况时锌扩散规律的研究第60-67页
       ·扩散温度变化时kink-and-tail曲线的生成规律第60-62页
       ·扩散时间变化时kink-and-tail曲线的生成规律第62-63页
       ·扩散温度变化时box曲线的生成规律第63-65页
       ·扩散时间变化时box曲线的生成规律第65-67页
     ·其它扩散现象的解释第67-74页
       ·扩散过程中色中心的产生第67-70页
       ·富Sb与纯Zn条件下Zn扩散机理的差异第70-71页
       ·采用富Ga源的准密封式扩散过程及现象分析第71-72页
       ·采用纯Zn或富Sb源的密封式扩散过程及现象分析第72-74页
   ·Zn在砷化镓晶体中扩散机理的研究第74-86页
     ·采用纯Zn作为扩散源时扩散规律的研究第74-79页
     ·采用Zn-Ga合金作为扩散源时扩散规律的研究第79-83页
     ·Kink-and-tail与box曲线相互关系的研究第83-86页
   ·Zn在砷化铟晶体中扩散机理的研究第86-91页
     ·采用Zn-In合金作为扩散源时扩散规律的研究第86-90页
     ·采用纯Zn作为扩散源时扩散规律的研究第90-91页
 参考文献第91-93页
第3章 锑化镓红外电池制备工艺的研究第93-127页
   ·引言第93页
   ·锑化镓红外电池的传统制备工艺流程第93-98页
     ·准密封式单步锌扩散法制备锑化镓电池工艺流程第93-96页
     ·准密封式两步锌扩散法制备锑化镓电池工艺流程第96-97页
     ·金属有机气相外延(MOVPE)生长法制备锑化镓电池工艺流程第97-98页
   ·锌扩散法制备锑化镓电池的优化方法第98-100页
   ·基于新型锌扩散方法的锑化镓电池制备工艺研究第100-118页
     ·新型制备工艺流程简介第100-102页
     ·选择性扩散窗口的制备第102-105页
     ·新型锌扩散法制备PN结第105-106页
     ·电池电极的制备第106-107页
     ·电池减反射层的制备第107-111页
     ·锑化镓电池样品的性能测试及分析第111-117页
     ·小结第117-118页
   ·红外电池的发展趋势第118-122页
 参考文献第122-127页
第4章 结论与展望第127-129页
   ·结论第127-128页
   ·展望第128-129页
在读期间发表的学术论文和取得的研究成果第129-131页
致谢第131页

 
 
论文编号BS2143012,这篇论文共131
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