摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-33页 |
·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本特性及其应用 | 第11-14页 |
·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Zn扩散理论的研究价值与研究现状 | 第14-19页 |
·Zn扩散理论的研究价值 | 第14-16页 |
·Zn扩散理论的研究现状 | 第16-19页 |
·基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的低禁带红外电池特性及应用 | 第19-27页 |
·锑化镓红外电池的研究起因及发展现状 | 第19-23页 |
·锑化镓红外电池在热光伏及其它领域的应用 | 第23-25页 |
·其它Ⅲ-Ⅴ族低禁带红外电池的研究现状 | 第25-27页 |
·本文的研究内容和意义 | 第27-28页 |
参考文献 | 第28-33页 |
第2章 Zn在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中扩散机理的研究 | 第33-93页 |
·引言 | 第33页 |
·Zn在Ⅲ-Ⅴ族化合物中扩散研究的实验方法与分析手段 | 第33-43页 |
·准密封式扩散法 | 第33-37页 |
·密封式扩散法 | 第37-40页 |
·半导体中原子扩散的分析手段 | 第40-43页 |
·扩散率与浓度相关的扩散过程分析方法 | 第43-47页 |
·采用Boltzmann-Matano方法计算杂质扩散率与浓度的关系 | 第43-45页 |
·扩散方程的的建立与扩散参数的拟合 | 第45-47页 |
·Zn在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中奇异扩散现象的发现 | 第47-49页 |
·Zn在锑化镓晶体中扩散机理的研究 | 第49-74页 |
·Kink-and-tail与box曲线生成条件的研究 | 第49-52页 |
·锌扩散率与浓度关系的研究与扩散模型的初步建立 | 第52-55页 |
·光致发光分析确定扩散过程中缺陷产生的类型 | 第55-60页 |
·改变工况时锌扩散规律的研究 | 第60-67页 |
·扩散温度变化时kink-and-tail曲线的生成规律 | 第60-62页 |
·扩散时间变化时kink-and-tail曲线的生成规律 | 第62-63页 |
·扩散温度变化时box曲线的生成规律 | 第63-65页 |
·扩散时间变化时box曲线的生成规律 | 第65-67页 |
·其它扩散现象的解释 | 第67-74页 |
·扩散过程中色中心的产生 | 第67-70页 |
·富Sb与纯Zn条件下Zn扩散机理的差异 | 第70-71页 |
·采用富Ga源的准密封式扩散过程及现象分析 | 第71-72页 |
·采用纯Zn或富Sb源的密封式扩散过程及现象分析 | 第72-74页 |
·Zn在砷化镓晶体中扩散机理的研究 | 第74-86页 |
·采用纯Zn作为扩散源时扩散规律的研究 | 第74-79页 |
·采用Zn-Ga合金作为扩散源时扩散规律的研究 | 第79-83页 |
·Kink-and-tail与box曲线相互关系的研究 | 第83-86页 |
·Zn在砷化铟晶体中扩散机理的研究 | 第86-91页 |
·采用Zn-In合金作为扩散源时扩散规律的研究 | 第86-90页 |
·采用纯Zn作为扩散源时扩散规律的研究 | 第90-91页 |
参考文献 | 第91-93页 |
第3章 锑化镓红外电池制备工艺的研究 | 第93-127页 |
·引言 | 第93页 |
·锑化镓红外电池的传统制备工艺流程 | 第93-98页 |
·准密封式单步锌扩散法制备锑化镓电池工艺流程 | 第93-96页 |
·准密封式两步锌扩散法制备锑化镓电池工艺流程 | 第96-97页 |
·金属有机气相外延(MOVPE)生长法制备锑化镓电池工艺流程 | 第97-98页 |
·锌扩散法制备锑化镓电池的优化方法 | 第98-100页 |
·基于新型锌扩散方法的锑化镓电池制备工艺研究 | 第100-118页 |
·新型制备工艺流程简介 | 第100-102页 |
·选择性扩散窗口的制备 | 第102-105页 |
·新型锌扩散法制备PN结 | 第105-106页 |
·电池电极的制备 | 第106-107页 |
·电池减反射层的制备 | 第107-111页 |
·锑化镓电池样品的性能测试及分析 | 第111-117页 |
·小结 | 第117-118页 |
·红外电池的发展趋势 | 第118-122页 |
参考文献 | 第122-127页 |
第4章 结论与展望 | 第127-129页 |
·结论 | 第127-128页 |
·展望 | 第128-129页 |
在读期间发表的学术论文和取得的研究成果 | 第129-131页 |
致谢 | 第131页 |