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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--层状分子筛的层间修饰与结构解析
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层状分子筛的层间修饰与结构解析
 
     论文目录
 
摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
第一章 研究背景第13-45页
    1.1 分子筛的研究进展第13-14页
    1.2 分子筛的特征与应用第14-16页
    1.3 分子筛的孔道限制第16页
    1.4 解决分子筛孔道限制的方法第16-21页
        1.4.1 合成非常小的分子筛纳米晶粒第17-18页
        1.4.2 合成超大孔分子筛’第18-20页
        1.4.3 合成多级孔分子筛材料第20-21页
    1.5 层状分子筛解决孔道限制的策略第21-32页
        1.5.1 层状分子筛的合成及其结构特征第21-26页
        1.5.2 层状分子筛的柱撑第26-29页
        1.5.3 层状分子筛的剥离第29-31页
        1.5.4 层状分子筛的层间扩孔第31-32页
    1.6 选题目的与意义第32-34页
    参考文献第34-45页
第二章 Nu-6(1)层间插硅修饰及其结构表征第45-69页
    2.1 前言第45-46页
    2.2 实验部分第46-52页
        2.2.1 分子筛层状前驱体Nu-6(1)的合成第46页
        2.2.2 Nu-6(1)层间插硅第46-47页
        2.2.3 表征方法第47页
        2.2.4 应用同步辐射测定XRD和结构精修第47-52页
        2.2.5 催化反应第52页
    2.3 结果与讨论第52-64页
        2.3.1 Nu-6(1)层间插硅第52-57页
        2.3.2 红外和核磁表征层间插硅第57-61页
        2.3.3 结构分析第61-63页
        2.3.4 IEZ-Nu-6(2)的催化表征第63-64页
    2.4 结论第64-65页
    参考文献第65-69页
第三章 PREFER层间扩孔结构修饰及其结构表征第69-98页
    3.1 前言第69-70页
    3.2 实验部分第70-77页
        3.2.1 分子筛层状前驱体PREFER合成第70-71页
        3.2.2 PREFER层间插硅柱撑第71-72页
        3.2.3 表征方法第72-77页
    3.3 结果与讨论第77-92页
        3.3.1 IEZ-FER(D4h)合成条件的考察第77-79页
        3.3.2 IEZ-FER(D4h)的XRD表征第79-81页
        3.3.3 固体核磁、红外、紫外拉曼表征PREFER的层间插硅第81-86页
        3.3.4 结构解析第86-89页
        3.3.5 热稳定性第89-90页
        3.3.6 IEZ-FER(D4h)的蒸汽吸附第90-92页
    3.4 结论第92-93页
    参考文献第93-98页
第四章 含有多级孔道的分子筛纳米片的合成及其表征第98-128页
    4.1 前言第98-99页
    4.2 实验部分第99-101页
        4.2.1 分子筛纳米片模板剂的合成第99页
        4.2.2 分子筛纳米片ECNU-9/ECNU-9-AI的合成第99-100页
        4.2.3 分子筛IM-20的合成第100-101页
        4.2.4 分子筛纳米片ECNU-9的加固第101页
        4.2.5 表征方法第101页
    4.3 结果与讨论第101-118页
        4.3.1 ECNU-9的性质第101-107页
        4.3.2 ECNU-9-SS与ECNU-9-AI的性质第107-108页
        4.3.3 确定ECNU-9的结构第108-112页
        4.3.4 ECNU-9的形成机理研究第112-117页
        4.3.5 普适性第117-118页
    4.4 结论第118-125页
    参考文献第125-128页
第五章 硅锗分子筛IM-20(UWY)的结构改性与表征第128-145页
    5.1 前言第128-129页
    5.2 实验部分第129-132页
        5.2.1 硅锗分子筛IM-20的制备第129页
        5.2.2 硅锗分子筛IM-20的后处理第129页
        5.2.3 表征手段第129-132页
    5.3 结果与讨论第132-142页
    5.4 结论第142-143页
    参考文献第143-145页
总结第145-147页
科研成果第147-149页
致谢第149页

 
 
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