| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·研究背景 | 第9-15页 |
| ·可调谐 Fabry-Perot 滤波器简介 | 第9-12页 |
| ·MEMS 型Fabry-Perot 滤波器 | 第9-10页 |
| ·波导 Fabry-Perot 滤波器 | 第10-11页 |
| ·光纤型 Fabry-Perot 腔滤波器 | 第11-12页 |
| ·热光可调谐滤波器国内外发展现状 | 第12-15页 |
| ·本论文研究的内容 | 第15-17页 |
| ·热光可调 Fabry-Perot 滤波器的设计与仿真 | 第15-16页 |
| ·非晶硅及氮化硅薄膜的实验制备和测试分析 | 第16-17页 |
| 第二章 Fabry-Perot 薄膜滤波器原理 | 第17-26页 |
| ·光学薄膜的基本理论 | 第17-20页 |
| ·薄膜的干涉 | 第17-18页 |
| ·多层介质薄膜理论 | 第18-20页 |
| ·Fabry-Perot 干涉仪原理 | 第20-23页 |
| ·自由光谱范围 | 第22页 |
| ·精细度 | 第22-23页 |
| ·薄膜 Fabry-Perot 滤光片 | 第23-26页 |
| 第三章 热光可调 Fabry-Perot 薄膜滤波器的设计与仿真 | 第26-42页 |
| ·热光可调 Fabre-Perot 薄膜滤波器的调谐原理 | 第26-27页 |
| ·Fabre-Perot 腔体材料的选择 | 第26页 |
| ·Fabre-Perot 滤波器热光调谐工作原理 | 第26-27页 |
| ·窄带 Fabry-Perot 可调薄膜滤波器 | 第27-32页 |
| ·窄带 Fabry-Perot 薄膜滤波器的透射特性分析 | 第28-29页 |
| ·谐振腔的光学厚度对滤波器输出特性的影响 | 第29-30页 |
| ·反射镜的周期数对滤波器输出特性的影响 | 第30页 |
| ·窄带 Fabry-Perot 薄膜滤波器的热光调谐特性分析 | 第30-31页 |
| ·谐振腔光学厚度对滤波器调谐特性的影响 | 第31-32页 |
| ·总结 | 第32页 |
| ·平顶Fabry-Perot 可调谐薄膜滤波器 | 第32-36页 |
| ·平顶 Fabry-Perot 薄膜滤波器透射特性分析 | 第33-34页 |
| ·Fabry-Perot 谐振腔光学厚度对平顶滤波器透射曲线的影响 | 第34-35页 |
| ·平顶 Fabry-Perot 薄膜滤波器热光调谐特性分析 | 第35页 |
| ·Fabry-Perot 谐振腔光学厚度对平顶滤波器调谐特性的影响 | 第35-36页 |
| ·总结 | 第36页 |
| ·多通道Fabry-Perot 可调谐薄膜滤波器 | 第36-42页 |
| ·多通道滤波器的设计原理 | 第36-37页 |
| ·多通道滤波器透射特性分析 | 第37-40页 |
| ·多通道滤波器的热光调谐特性分析 | 第40-41页 |
| ·结论 | 第41-42页 |
| 第四章 非晶硅及氮化硅薄膜的制备 | 第42-53页 |
| ·PECVD 技术概况 | 第42-45页 |
| ·PECVD 设备概况 | 第42-44页 |
| ·影响薄膜性能的 PECVD 系统参数 | 第44-45页 |
| ·射频功率 | 第44页 |
| ·气压 | 第44-45页 |
| ·衬底温度 | 第45页 |
| ·气体流速 | 第45页 |
| ·PECVD 制备非晶硅薄膜反应机理 | 第45-49页 |
| ·PECVD 技术沉积非晶硅薄膜 | 第45-46页 |
| ·PECVD 的微观过程 | 第46-47页 |
| ·PECVD 制备非晶硅薄膜的反应机理 | 第47-49页 |
| ·实验 | 第49-53页 |
| ·实验的设计 | 第49-50页 |
| ·实验的主要内容 | 第49-50页 |
| ·实验设计 | 第50页 |
| ·实验的准备 | 第50-51页 |
| ·实验过程 | 第51-53页 |
| 第五章 硅化物薄膜特性的测试与分析 | 第53-71页 |
| ·测试设备 | 第53-56页 |
| ·椭偏仪 | 第53-54页 |
| ·S2-82 数字式四探针测试 | 第54页 |
| ·吸收、透射/反射光谱测量系统 | 第54-56页 |
| ·非晶硅薄膜性能分析 | 第56-67页 |
| ·工艺条件 | 第56-58页 |
| ·结果和讨论 | 第58-67页 |
| ·非晶硅薄膜透过率的研究 | 第58-59页 |
| ·沉积温度对非晶硅薄膜性能影响 | 第59-61页 |
| ·压强对非晶硅薄膜厚度的影响 | 第61-62页 |
| ·反应气体的流量对沉积速率的影响 | 第62-63页 |
| ·射频功率对非晶硅薄膜性能的影响 | 第63-67页 |
| ·氮化硅薄膜性能分析 | 第67-71页 |
| ·射频功率对折射率的影响 | 第67页 |
| ·Si/N 比对氮化硅薄膜折射率的影响 | 第67-68页 |
| ·SiH_4/NH_3比对氮化硅薄膜性能的影响 | 第68-69页 |
| ·总结 | 第69-71页 |
| 第六章 总结 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 硕士期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
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