| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 半导体存储器 | 第9-12页 |
| 1.1.1 传统浮栅式存储器 | 第9-10页 |
| 1.1.2 新型非易失性存储器 | 第10-12页 |
| 1.2 辐射效应 | 第12-16页 |
| 1.2.1 空间辐射环境 | 第12-13页 |
| 1.2.2 辐射源种类及其与材料的相互作用 | 第13-15页 |
| 1.2.3 电离辐射效应 | 第15-16页 |
| 1.3 阻变存储器及其辐射效应研究现状 | 第16-23页 |
| 1.3.1 阻变存储器简介 | 第16-17页 |
| 1.3.2 阻变机制与阻变材料 | 第17-20页 |
| 1.3.3 阻变存储器辐射效应研究现状 | 第20-23页 |
| 1.4 本论文的选题依据和主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 BIT薄膜的漏电流特性 | 第25-35页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 BIT薄膜的制备 | 第26-29页 |
| 2.2.1 常用薄膜制备方法 | 第26页 |
| 2.2.2 BIT薄膜的制备工艺 | 第26-29页 |
| 2.3 BIT薄膜的微观结构表征 | 第29-31页 |
| 2.3.1 微观结构表征方法 | 第29页 |
| 2.3.2 BIT薄膜的微观结构 | 第29-31页 |
| 2.4 BIT薄膜的漏电流特性 | 第31-34页 |
| 2.4.1 电学特性测试方法 | 第31页 |
| 2.4.2 BIT薄膜的漏电流特性 | 第31-34页 |
| 2.5 小结 | 第34-35页 |
| 第3章 BIT基阻变存储器的电阻转变特性 | 第35-46页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 BIT薄膜结晶度对Pt/BIT/Pt阻变器件电阻转变特性的影响 | 第35-39页 |
| 3.2.1 不同BIT薄膜结晶度Pt/BIT/Pt阻变器件的电阻转变特性 | 第35-37页 |
| 3.2.2 不同BIT薄膜结晶度Pt/BIT/Pt阻变器件的电阻转变机理 | 第37-39页 |
| 3.3 Nd掺杂对α-BIT基阻变器件电阻转变特性的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.1 Nd掺杂α-BIT薄膜的微观结构 | 第39页 |
| 3.3.2 Pt/α-BIT/Pt和Pt/α-BNT/Pt器件的电阻转变特性 | 第39-41页 |
| 3.4 电极活性对α-BNT基阻变器件电阻转变特性的影响 | 第41-45页 |
| 3.4.1 Ag/α-BNT/Pt阻变器件的电阻转变特性 | 第41-42页 |
| 3.4.2 Ag/α-BNT/Pt阻变器件的电阻转变机理 | 第42-45页 |
| 3.5 小结 | 第45-46页 |
| 第4章 Ag/α-BNT/Pt阻变器件的γ射线总剂量效应 | 第46-54页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 辐照试验设计 | 第46-48页 |
| 4.2.1 辐射源选择 | 第46-47页 |
| 4.2.2 ~(60)Coγ射线辐照试验设计 | 第47-48页 |
| 4.3 γ射线辐照对Ag/α-BNT/Pt器件阻变特性的影响 | 第48-52页 |
| 4.3.1 γ射线辐照对Ag/α-BNT/Pt器件存储状态的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.2 γ辐射辐照对Ag/α-BNT/Pt器件操作电压的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.3 γ辐射辐照对Ag/α-BNT/Pt器件综合性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.4 Ag/α-BNT/Pt器件的电离辐射损伤机制 | 第52页 |
| 4.5 小结 | 第52-54页 |
| 第5章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 论文总结 | 第54-55页 |
| 5.2 研究展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第64页 |
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