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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--基于180nm工艺的30MHz晶体振荡器IO接口电路的设计与实现
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基于180nm工艺的30MHz晶体振荡器IO接口电路的设计与实现
 
     论文目录
 
摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
符号对照表第10-11页
缩略语对照表第11-15页
第一章 绪论第15-19页
    1.1 研究背景第15页
    1.2 国内外研究与发展现状第15-16页
    1.3 论文研究内容与结构安排第16-19页
第二章 相关理论与原理第19-25页
    2.1 晶体振荡器相关理论第19-22页
        2.1.1 石英谐振器的主要特性第19-21页
        2.1.2 晶振基本工作原理与分类第21-22页
    2.2 集成电路接口相关理论第22-23页
        2.2.1 通用IO工作原理第22-23页
        2.2.2 集成电路接口的分类第23页
    2.3 本章小结第23-25页
第三章 晶体振荡器IO接口电路设计第25-45页
    3.1 电路概述第25-29页
        3.1.1 电路设计流程第25-27页
        3.1.2 电路设计指标第27页
        3.1.3 电路系统结构图第27-29页
    3.2 匹配电容的设计第29-30页
    3.3 基本放大电路设计第30-31页
    3.4 使能控制电路的设计第31-33页
    3.5 接收器设计第33-35页
        3.5.1 电平转换电路设计第33-35页
        3.5.2 缓冲电路的设计第35页
    3.6 驱动电流控制电路设计第35-37页
    3.7 反馈电阻设计第37-39页
    3.8 ESD保护电路设计第39-42页
    3.9 本章小结第42-45页
第四章 电路仿真第45-59页
    4.1 仿真概述第45页
    4.2 功能仿真第45-48页
    4.3 增益仿真第48-51页
    4.4 起振仿真第51-53页
    4.5 静态电流仿真第53-55页
    4.6 DC仿真第55-57页
    4.7 本章小结第57-59页
第五章 版图设计第59-63页
    5.1 版图知识介绍第59-60页
    5.2 实际版图设计第60-63页
第六章 电路测试结果与分析第63-69页
    6.1 电路测试的基本信息第63-64页
    6.2 覆盖测试结果第64页
    6.3 特性测试结果第64-67页
    6.4 ESD测试结果第67页
    6.5 本章小结第67-69页
第七章 总结与展望第69-71页
参考文献第71-73页
致谢第73-75页
作者简介第75-76页

 
 
论文编号BS2564008,这篇论文共76
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