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Co-Ce基催化剂形貌调控及其脱汞性能研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第2-3页 | Abstract | 第3-4页 | 1 绪论 | 第8-19页 | 1.1 大气汞污染概述 | 第8-11页 | 1.1.1 汞的危害 | 第8页 | 1.1.2 汞的来源 | 第8-10页 | 1.1.3 汞的形态及性质 | 第10-11页 | 1.2 脱汞技术 | 第11-13页 | 1.2.1 现有污染控制设备脱汞 | 第11-12页 | 1.2.2 吸附法脱汞 | 第12-13页 | 1.2.3 等离子体技术脱汞 | 第13页 | 1.2.4 化学沉淀法脱汞 | 第13页 | 1.2.5 催化氧化法脱汞 | 第13页 | 1.3 催化氧化法脱汞概述 | 第13-15页 | 1.3.1 负载型催化剂 | 第14页 | 1.3.2 非负载型催化剂 | 第14-15页 | 1.3.3 脱汞催化剂研究现状 | 第15页 | 1.4 形貌可控型催化剂 | 第15-17页 | 1.4.1 孔结构控制型催化剂 | 第16-17页 | 1.4.2 晶面控制型催化剂 | 第17页 | 1.5 论文的选题意义及研究内容 | 第17-19页 | 2 实验器材与方法 | 第19-24页 | 2.1 引言 | 第19页 | 2.2 实验室系统 | 第19-20页 | 2.2.1 配气系统 | 第19-20页 | 2.2.2 反应系统 | 第20页 | 2.2.3 测试系统 | 第20页 | 2.3 实验化学试剂和仪器 | 第20-22页 | 2.3.1 实验试剂 | 第20-21页 | 2.3.2 实验设备 | 第21-22页 | 2.4 催化剂活性测试 | 第22页 | 2.5 催化剂表征 | 第22-24页 | 2.5.1 X-射线衍射(XRD)分析 | 第22-23页 | 2.5.2 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第23页 | 2.5.3 氮气吸附脱附 | 第23页 | 2.5.4 程序升温还原(H_2-TPR)分析 | 第23页 | 2.5.5 X-射线光电子能谱(XPS)分析 | 第23-24页 | 3 Ce-Co-O_x催化剂的制备及其脱汞研究 | 第24-38页 | 3.1 引言 | 第24页 | 3.2 实验部分 | 第24-25页 | 3.2.1 硬模板法制备有序介孔Ce-Co-O_x催化剂 | 第24-25页 | 3.2.2 共沉淀法制备Ce-Co-O_x催化剂 | 第25页 | 3.3 Ce-Co-O_x催化剂的脱汞性能 | 第25-26页 | 3.4 Ce-Co-O_x催化剂的表征 | 第26-32页 | 3.4.1 氮气吸附脱附分析 | 第26-28页 | 3.4.2 TEM分析 | 第28-29页 | 3.4.3 XRD分析 | 第29页 | 3.4.4 H_2-TPR分析 | 第29-30页 | 3.4.5 XPS分析 | 第30-32页 | 3.5 催化剂使用寿命测试 | 第32-34页 | 3.6 烟气组分对催化剂性能的影响 | 第34-36页 | 3.7 本章小结 | 第36-38页 | 4 Ce_x-Co_y有序介孔催化剂的制备及脱汞性能研究 | 第38-49页 | 4.1 引言 | 第38页 | 4.2 催化剂的制备 | 第38页 | 4.3 Ce_x-Co_y催化剂的表征 | 第38-46页 | 4.3.1 TEM分析 | 第38-39页 | 4.3.2 XRD和HR-TEM分析 | 第39-43页 | 4.3.3 氮气吸附脱附分析 | 第43-44页 | 4.3.4 XPS分析 | 第44-45页 | 4.3.5 H_2-TPR分析 | 第45-46页 | 4.4 Ce_x-Co_y催化剂的脱汞性能 | 第46-48页 | 4.5 本章小结 | 第48-49页 | 5 纳米Co_3O_4晶面调控及脱汞性能研究 | 第49-57页 | 5.1 引言 | 第49页 | 5.2 催化剂的制备 | 第49-50页 | 5.2.1 Co_3O_4纳米棒的制备 | 第49页 | 5.2.2 Co_3O_4纳米颗粒的制备 | 第49-50页 | 5.3 纳米Co_3O_4催化剂的脱汞性能 | 第50页 | 5.4 纳米Co_3O_4催化剂的表征 | 第50-55页 | 5.4.1 XRD分析 | 第50-51页 | 5.4.2 TEM分析 | 第51-52页 | 5.4.3 氮气吸附脱附分析 | 第52-53页 | 5.4.4 XPS分析 | 第53-54页 | 5.4.5 H_2-TPR分析 | 第54-55页 | 5.5 本章小结 | 第55-57页 | 结论 | 第57-59页 | 创新点及展望 | 第59-60页 | 参考文献 | 第60-67页 | 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第67-68页 | 致谢 | 第68-70页 |
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